落實國家、省、市關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，進一步優(yōu)化福田區(qū)集成電路上下游產(chǎn)業(yè)布局，謀劃第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，切實搶占新一輪集成電路、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的制高點。
福田區(qū)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施
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原文內(nèi)容
深圳市福田區(qū)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施
第一條 宗旨 為落實國家、省、市關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，進一步優(yōu)化福田區(qū)集成電路上下游產(chǎn)業(yè)布局，謀劃第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，切實搶占新一輪集成電路、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的制高點，現(xiàn)根據(jù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》《深圳市關(guān)于進一步加快軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（深府〔2013〕99號）等有關(guān)規(guī)定，在《深圳市福田區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項資金管理辦法》、《深圳市福田區(qū)支持科技創(chuàng)新發(fā)展若干政策》基礎(chǔ)上，特針對集成電路、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制定如下措施。
第二條 適用對象 本措施適用于注冊登記、稅務(wù)關(guān)系、統(tǒng)計關(guān)系在福田區(qū)，具有獨立法人資格、健全的財務(wù)制度、實行獨立核算的集成電路類企業(yè)或機構(gòu)（以下合稱“企業(yè)”）。
第三條 公共技術(shù)平臺及項目配套
支持各類集成電路公共技術(shù)平臺建設(shè)，對承擔(dān)國家級技術(shù)平臺項目的企業(yè)，按國家支持金額的50%給予配套支持，每家企業(yè)配套資金總額不超過300萬元。
對承擔(dān)國家、省、市集成電路項目的企業(yè)，分別按國家、省、市支持金額的50%、30%、20%給予配套支持，每家企業(yè)最高配套資金總額不超過300萬、100萬、50萬元。
第四條 支持核心技術(shù)和產(chǎn)品攻關(guān) 支持企業(yè)開展集成電路高端通用器件（CPU、GPU、存儲器等）、第三代半導(dǎo)體器件（功率半導(dǎo)體器件等）、關(guān)鍵設(shè)備（光刻機、刻蝕機、離子注入機、氣相沉積設(shè)備等）、核心材料（第三代半導(dǎo)體材料、靶材、光刻膠、感光膠等）、先進工藝（堆疊式封裝等）等技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品攻關(guān)，對R&D投入50萬元（含50萬元）以上的企業(yè)，按R&D投入的1%，給予每家企業(yè)年度最高200萬元的支持。
該條與其他產(chǎn)業(yè)資金政策中有關(guān)R&D投入支持可以同時申請。
第五條 支持EDA軟件購買 對企業(yè)購買EDA設(shè)計工具軟件（含軟件升級費用）的，按照實際發(fā)生費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高200萬元的支持。
第六條 支持IP購買 對企業(yè)購買IP（來源于IP提供商、EDA供應(yīng)商或者代工廠IP模塊）開展芯片研發(fā)，給予IP購買實際支付費用50%的支持，每家企業(yè)年度支持最高300萬元。
第七條 支持測試驗證 對企業(yè)開展工程樣片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的測試驗證及相關(guān)認(rèn)證，按實際發(fā)生費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高200萬元的支持。
第八條 支持流片
（一）對集成電路設(shè)計企業(yè)參加MPW項目，按MPW直接費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高200萬元的支持。
（二）對集成電路設(shè)計企業(yè)首次工程流片進行支持，按首次工程流片費用（含掩模版制作、流片等）的30%，給予每家企業(yè)年度最高300萬元的支持。
（三）對集成電路設(shè)計企業(yè)量產(chǎn)產(chǎn)品流片進行支持，按量產(chǎn)產(chǎn)品流片費用的最高10%，給予每家企業(yè)年度最高500萬元的支持。
第九條 支持重大技術(shù)裝備保險補償 對企業(yè)獲得國家首臺（套）重大技術(shù)裝備保險補償支持的，按照國家實際支持額度的50%給予最高500萬元的配套支持。
第十條 生產(chǎn)性用電支持 對集成電路生產(chǎn)企業(yè)上一年度用電成本，按照“先交后補”的方式，給予用電費用50%的支持，每家企業(yè)年度支持最高500萬元。
第十一條 特殊情形支持 對特別重大的項目，按“一事一議”方式提請福田區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展聯(lián)席會議研究審議。
第十二條 附則 本措施自發(fā)布之日起施行，至2020年12月31日止，由福田區(qū)科技創(chuàng)新局負(fù)責(zé)解釋。
附
措施適用對象的主營業(yè)務(wù)目錄及名詞解釋
1．集成電路芯片設(shè)計。主要包括中央處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）、微控制器（MCU）、存儲器、數(shù)字信號處理器（DSP）、嵌入式CPU、AI芯片、通信芯片、數(shù)字電視芯片、存儲模組、先進模組、多媒體芯片、信息安全和視頻監(jiān)控芯片、智能卡芯片、汽車電子芯片、工業(yè)控制芯片、智能電網(wǎng)芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、圖像傳感器芯片、人機交互處理芯片，功率半導(dǎo)體芯片、功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件、光電混合集成電路等芯片的設(shè)計。
2．集成電路的芯片設(shè)計服務(wù)、EDA工具研發(fā)、IP產(chǎn)品研發(fā)。
3．集成電路芯片制造，線寬等于及小于100納米的大規(guī)模數(shù)字集成電路制造，等于及小于0.5微米的模擬集成電路、數(shù)模混合集成電路制造。
4．集成電路芯片封裝測試，系統(tǒng)級封裝（SIP）、多芯片組件封裝（MCM）、芯片級封裝（CSP）、圓片級封裝（WLP）、球柵陣列封裝（BGA）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）、覆晶封裝（FlipChip）、硅通孔（TSV）、扇出晶圓級封裝（Fan-Out）、三維封裝（3D）等先進封裝和測試技術(shù)的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
5．集成電路材料。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導(dǎo)體材料（含SIC、GAN等第三代半導(dǎo)體材料），光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等。
6．集成電路設(shè)備。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成電路生產(chǎn)線所用的光刻機、刻蝕機、離子注入機、退火設(shè)備、單晶生長設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、化學(xué)機械拋光設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備等。
7．專有名詞解釋。
本措施中的“IP”指的是具有知識產(chǎn)權(quán)的、已經(jīng)設(shè)計好并經(jīng)過驗證的、可重復(fù)利用的集成電路模塊。
本措施中的“MPW”（Multi Project Wafer）是多項目晶圓，就是將多個使用相同工藝的集成電路設(shè)計放在同一晶圓片上流片，制造完成后，每個設(shè)計可以得到數(shù)十片芯片樣品。
本措施中的“流片”指的是“試生產(chǎn)”，像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片。
